SJ 50033.133-1997 半导体分立器件SY5629～5665A型瞬态电压抑制二极管详细规范
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ID： |
06747E240C30496F9847C8A4DA17C000 |
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文件大小(MB)： |
0.65 |
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14 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/133-97,半导体分立器件,SY5629 .5665A 型,瞬态电压抑制二极管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3Y5629.5665A,tramsient voltage suppression diodes,1997-06-17 发布1997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,SY5629.5665A型瞬态电压抑制二极管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for types SY5629 .5665A,transient voltage suppression diodes,SJ 50033/133-97,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 SY5629.5665A型瞬态电压抑制二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 裾件的等级,按GJB 33-85（半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和,超特军三级,分别用字母GP,GT和GCT表示,2引用文件,GB 6571 — 86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GB 33-85 半导体分立器件总规范,GB 128-86 半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计和结构,器件的设计和结构应按本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料下引线为无氧铜丝、上引线为铜包钢丝,引出端表面应为锡层和鎳层,中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布 !997-10-01实施,-1 -,SJ 50033/133-97,3.2.2 器件结构,器件结构是金属全密封空腔结构,芯片为外延或扩散台面型,芯片和引线之间采用高温冶,金键合,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的D2—09A型和本规范的规定（见图1）,尺、念1号,並2 如孙G Gi L レ丄2,D2-09A,min 0.64 25.4 25.4,max 0.95 5.96 2.54 9.06 15.01 4.77,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,注:1）ち=ims、ル=10用,当Ta=25じ时,峰值脉冲功率见图3,Prwm PおTop ァ躅,TA = 25 + 3t Ta = 25±3V,kW W t C,1.5 1 -55 .150 - 55.175,2）当!\>25じ时,按8mW/K线性降额,3.3.2 主要电特性,主要电特性应符合本规范要求,见表5第2栏.第4栏,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6571及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,-2 -,SJ 50-033/133-97,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应符合GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范中表1的规定进行。超过,本规范表1极限值的器件应予剔除,筛 选,（见 GJB33 表 2）,试验方法,（GJB 128）,条 件测 试,3.热冲击1051 低温:-55c,循环:20次,其余同F,6.高温反偏1038 与第8项合并进行,7.中间电参数外=Vrwm（表5第4栏的值）,Ir=1（BR）（表5第3栏的值） Vbr,8.功率老炼见4.5.4、时间:96卜,9.最后测试按表1规定4ム不大于初始值的,50%或1/A,取较大者,4匕㈣,不大于初始,值的2%,10.密封,a）细检漏,b）粗检漏,1071,试验条件H,试验条件C,U.外观及机,械检验,2071 打标志后进行,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应符合GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法按本规范相应的表和下列的规定进行,4.5.1 脉冲测试（正向压降）,脉冲测试应按GJB 128中3.3.2.1的规定,4.5.2 最大峰值脉冲电流（厶）,应在反向偏压不低于Vrwm的同时,反向施加相应的峰值电流,在反向施加具有下述电流与时间关系波形的峰值电流,3,SJ 50033/133-97,a）在,总8〃s时,脉冲电流应达到厶的100%而在る》20巒时,应下降到小的100%,（见图2）,b）在ん410"时,脉冲电流应达到厶的100%。而在ナp》lms时,应下降到好的50%,（见图3）,注:时间（，）的公差为正公差,允许小于等于百分之十,4.5.3 箝位电压,应在1ms的时间间隔内,在二极管两端测量峰值脉冲箝位电压,响应检测器应证明设备,精度为±3%,9) 煜曲迂雷,(,親京皿￡ 上) 爆酒せ^,4.5.4 功率老炼和稳态工作寿命,4,SJ 50033/133-97,a）在= 25 ±3匕下测试レ和匕br）；,b）在Ta = 25±3匕下,按4.5.2中b……
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